MEMORIAS ASINCRONAS

MEMORIAS ASÍNCRONAS

• DRAM:  Representa la abreviatura de Dinamic Random Access Memory. Entre sus ventajas más importantes, encontramos el bajo coste en comparación con otras tecnologías mucho más caras y complejas. Además, sus prestaciones son suficientemente rápidas como para cubrir las necesidades de los procesadores que hasta hace poco se estaban utilizando. Entre sus mayores desventajas encontramos la necesidad de refrescar la memoria cientos de veces por segundo, ya que sólo un momento sin energía hará que todos los datos se pierdan. Por ello, estos chips consumen una gran cantidad de energía y requieren de un control constante
• FPM-RAM (Fast Page RAM): memoria asíncrona, más rápida que la anterior (modo de Página Rápida) y con velocidades de acceso de 70 ó 60 ns. Fue utilizada hasta los primeros Pentium.
• EDO-RAM (Extended Data Output RAM): memoria asíncrona, esta memoria permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con velocidades de acceso de 40 ó 30 ns. 
•  BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM): memoria asíncrona, variante de la anterior, es sensiblemente más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst).